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閃存恢復

U盤數據恢復之-nand 芯片壞子管理和刪除

時間:2018-11-15 17:29:53   作者:成都數據恢復中心   來源:本站原創   閱讀:923   評論:0
內容摘要:現代NAND芯片的每一顆晶體都由幾個平面組成。通常,它由2或4個平面組成。該平面由分組為頁面和塊的存儲器單元陣列組成。連接平面使得平面0由偶數物理塊(0,2,4,6,...)組成,平面1包括奇數塊(1,3,5,7,...)。由于質量相對較差,TLCNAND芯片存在工廠缺陷。每個晶體和平面的缺陷都是獨一無二的。在每個塊的...
現代NAND芯片的每一顆晶體都由幾個平面組成。通常,它由2或4個平面組成。該平面由分組為頁面和塊的存儲器單元陣列組成。連接平面使得平面0由偶數物理塊(0,2,4,6,...)組成,平面1包括奇數塊(1,3,5,7,...)。由于質量相對較差,TLC NAND芯片存在工廠缺陷。每個晶體和平面的缺陷都是獨一無二的。在每個塊的所有頁面中,來自一個平面的缺陷是相同的。這些缺陷稱為壞列。 Bad Columns僅在具有WL tripple地址/ WL tripple地址和DDR數據傳輸協議的芯片中呈現。
U盤數據恢復之-nand_芯片壞子管理和刪除

這些垂直條紋是壞列。在練習1 ... 80個缺陷/列(每頁2 ... 160個字節)中,一個頁面中的錯誤列數可以是任意數量。壞列的典型大小是2個字節,很少是1個字節,有時它們被組合在一起作為4,6個字節。對于每個平面,頁面上的壞列的分布是唯一的。壞列通常由00 / FF或任何其他二進制模式填充。當提取芯片的物理圖像時,物理塊順序讀取,因此圖像由來自平面0和平面1(平面2,平面3)的交替塊組成。由于不同平面的頁面和塊具有不同的缺陷,因此在物理圖像(轉儲)中,壞列將以2或4個塊的周期(區域大小)重復。物理圖像有2個飛機和壞列,如下圖所示。
U盤數據恢復之-nand_芯片壞子管理和刪除

當向NAND寫入和讀取數據時,控制器會跳過壞列,因為它知道它們在芯片中的位置。壞列不存儲任何用戶數據。在分析和邏輯圖像重建之前,有必要從物理圖像中刪除壞列,因為它們會移動所有數據。
U盤數據恢復之-nand_芯片壞子管理和刪除U盤數據恢復之-nand_芯片壞子管理和刪除

有必要確定每個平面的一頁內的壞列的位置,大小和數量。位置是從頁面開頭的錯誤列的偏移量。壞列大小以字節表示。 Number確定從頁面開頭的偏移量,必須添加該偏移量才能減少壞列缺陷。

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