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閃存恢復

優盤數據恢復之NAND閃存閃存恢復中的二進制模式查看

時間:2018-11-17 12:50:03   作者:成都數據恢復中心   來源:本站原創   閱讀:539   評論:0
內容摘要:在NAND閃存和二進制模式識別分析是芯片數據恢復和破碎的閃存設備的數字取證分析的關鍵步驟。這個分析是在位圖模式中進行,由于經典的進制視圖不允許微量的二進制模式。顯示位圖模式模式是正確的,正確的頁面大小應設置。NAND的物理圖像包含以下可識別模式數據區模式炒(異或)數據區模式備用區模式ECC模式比特錯誤模式壞柱模式其他模...

在NAND閃存和二進制模式識別分析是芯片數據恢復和破碎的閃存設備的數字取證分析的關鍵步驟。這個分析是在位圖模式中進行,由于經典的進制視圖不允許微量的二進制模式。顯示位圖模式模式是正確的,正確的頁面大小應設置。

NAND的物理圖像包含以下可識別模式
  • 數據區模式
  • 炒(異或)數據區模式
  • 備用區模式
  • ECC模式
  • 比特錯誤模式
  • 壞柱模式
  • 其他模式

數據區

 

數據已經安靜的高密度(熵)和橫向模式,像條紋,立方體,等下面的圖片代表數據行業的典型模式(數據區)內頁。數據區是灰色強調。

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對數據模式的橫向邊界的確定有助于確定頁面結構。

炒(異或)數據

 

炒(異或)數據沒有典型數據模式。它看起來像一個密度非常高的噪聲(白噪聲熵)。

優盤數據恢復之NAND閃存閃存恢復中的二進制模式查看
然而,當加擾數據區包含零點進行的,有非常具體的模式中出現的噪聲,屬于異或關鍵片段。所以,任何模式的加密數據區,不看起來像一個噪音異或關鍵片段。
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Search of blocks with a large number of scrambled zeros (fragments of XOR key) is needed to determine the page structure and also to find a proper XOR key to decrypt data. The library of XOR patterns of different controllers is 在這里。

備用區

 

Spare area consists of bytes that define position, type and other parameters of physical blocks, ECC and others. In general, Spare area consists of following patterns

  • LBN
  • LPN
  • ECC
  • 銀行號碼
  • 寫計數器
備用區模式代表了垂直條紋,定期從塊到塊的變化。

LBN

 

邏輯塊號模式有2個字節(8位)的大小,從塊到塊。在下面的圖片代表

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在寬帶模式改變為虛擬塊邊界的地方。
的寬帶模式和它的偏移識別本質上是塊排列成邏輯圖像(標記表元素的設置)。

LPN

 

邏輯頁號模式有1或2個字節的大小和被篡改的頁面在虛擬塊。在下面的圖片代表

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LPN模式及其偏差識別本質上是塊排列成邏輯圖像(標記表元素的設置)。90%以上的控制器不在塊中使用的LPN由于連續的頁分配。

 

塊標頭模式有1字節大小和被改變的很少,因為在NAND 95-99%的所有塊用于存儲數據(主要街區)和具有相同的標題。在下面的圖片代表

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標題模式和它的偏移識別本質上是塊過濾和分類翻譯表建立的邏輯圖像時(標記表元素的設置)。

ECC

 

ECC的地區有很高的密度(熵)。它看起來像噪聲和無模式。有時,ECC碼有一個空字節(FF)最后,像柱。

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The ECC pattern and it’s offset identification is essential for page structure analysis. ECC面積大小的測定有助于發現ECC解碼器手動如果自動分析不工作。每個數據區域(512或1024字節)有它自己的ECC區。

銀行號碼

 

銀行號碼模式1字節大小和被改變的很少,因為銀行的數目是由2/4 / 8/16有限。在下面的圖片代表

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銀行的數字模式和它的偏移識別本質上是塊過濾和分類翻譯表建立的邏輯圖像時(標記表元素的設置)。90%以上的控制器不使用銀行的數量由于在物理圖像序列銀行配置。

寫計數器

 

寫反模式有1字節大小和從塊到塊。它可能感興趣的數字取證的目的。

比特錯誤

 

誤碼圖案看起來像“壞像素的形式污染”。在頁面點誤差估計數據是困難的地區,特別是如果數據加密。然而,他們在備用區清晰可見。

優盤數據恢復之NAND閃存閃存恢復中的二進制模式查看
The distribution of bit errors is random. A visual evaluation of number of bit errors  helps to determine if power adjustment is needed. Detailed description of bit errors and its minimization can be found in 這篇文章。

壞列

 

壞列模式的出現,與2或1個字節寬度的垂直柱。他們通常填充FFFF,0000,或任何其他的價值。

優盤數據恢復之NAND閃存閃存恢復中的二進制模式查看
壞列模式和它的偏移識別本質上是制造缺陷去除物理圖像。壞柱去除過程的詳細描述中可以找到這篇文章。

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